Теория конденсированных сред, транспортных, оптических и спиновых явлений в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах.

• M.M. Glazov and E.L. Ivchenko, Precession Spin Relaxation Mechanism Caused by Frequent Electron–Electron Collisions. JETP Lett. 75, 403 (2002).
• A.V. Kavokin, G. Malpuech, M.M. Glazov, Optical Spin Hall Effect, Phys. Rev. Lett. 95, 136601 (2005).
• C. Leyder, M. Romanelli, J. Ph. Karr, E. Giacobino, T. C. H. Liew, M. M. Glazov, A. V. Kavokin, G. Malpuech, and A. Bramati, Observation of the optical spin Hall effect, Nature Physics 3, 628-631 (2007).
• M.M. Glazov, S.D. Ganichev, High frequency electric field induced nonlinear effects in graphene, Physics Reports 535, 101-138 (2014).
• Gang Wang, Alexey Chernikov, Mikhail M. Glazov, Tony F. Heinz, Xavier Marie, Thierry Amand, and Bernhard Urbaszek, Colloquium: Excitons in atomically thin transition metal dichalcogenides, Rev. Mod. Phys. 90, 021001 (2018).
• M.M. Glazov, «Electron & Nuclear Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures, » Series on Semiconductor Science and Technology, Oxford University Press Oxford, 2018.
• М. В. Дурнев, М. М. Глазов, Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов, УФН 188, 913–934 (2018).
• М. М. Глазов, Р. А. Сурис, Коллективные состояния экситонов в полупроводниках, УФН 190-11-21–1142 (2020).
• Д. С. Смирнов, В. Н. Манцевич, М. М. Глазов, Теория оптически детектируемых спиновых флуктуаций в наносистемах, УФН 191, 973–998 (2021).
• M.M. Glazov, Optical properties of charged excitons in two-dimensional semiconductors J. Chem. Phys. 153, 034703 (2020).

• Медаль РАН с премией для молодых ученых, 2014 г.
• Премия им. Л. Эйлера Правительства Санкт-Петербурга и СПбНЦ РАН, 2015 г.